mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。mos英文全称为metal-oxide-semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中mos管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。那么mos管的重要参数有哪些呢?下面我们就来简单介绍一下。
mos管的重要参数有以下四个,主要是在mos管选择方面,系统要求相关的四个重要参数是:
1.负载电流il。它直接决定于mosfet的输出能力;
2.输入—输出电压。它受mosfet负载占空比能力限制;
3.开关频率。这个参数影响mosfet开关瞬间的耗散功率;
4.mosfet--允许工作温度。这要满足系统指定的可靠性目标。
mos管的source和drain是可以对调的,都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下,两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
mosfet的开关性能优良,主要用作功率开关及各种驱动器。近年来,它的性能不断提高,应用范围越来越广。功率mosfet除了应用在开关电源中,在计算机外设、办公室自动化设备、消费类电子产品、工业自动控制、通信设备及汽车工业中均得到普遍应用。
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