鲁晶sgt mosfet在电动工具 、锂电保护板推荐应用
2023-07-19
mosfet大致分类：平面型mosfet；trench （沟槽型）mosfet，主要用于低压领域；sgt（shielded gate transistor，屏蔽栅沟槽）mosfet，主要用于中压和低压领域；sj-（超结）mosfet，主要在高压领域应用。
sgt mosfet结构具有电荷耦合效应，在传统沟槽mosfet器件pn结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布，在采用同样掺杂浓度的外延材料规格情况下，器件可以获得更高的击穿电压。较深的沟槽深度，可以利用更多的硅体积来吸收eas能量，所以sgt在雪崩时可以做得更好，更能承受雪崩击穿和浪涌电流。在开关电源，电机控制，动力电池系统等应用领域中，sgt mosfet配合先进封装，非常有助于提高系统的效能和功率密度。
功率密度
sgt结构相对传统的trench结构，沟槽挖掘深度深3-5倍，可以横向使用更多的外延体积来阻止电压，显著降低了mosfet器件的特征导通电阻（specific resistance），例如相同的封装外形to-252或to-263封装，采用sgt芯片技术，可以得到更低的导通电阻。
如下图锂电保护控制板①处所示
鲁晶采用sgt工艺研发，在①处可放置ljm90n03t
、ljm120n03t、ljm80n06t等鲁晶mos管
如下图锂电保护控制板②处所示
串联结构下，可采用2302、3400等mos型号
参数如下：
vgs=10v时，rds（on）=２.６mω（典型值）
低栅极电荷、低crss、快速切换、额定极限dv/dt、100%雪崩测试、无铅电镀、符合rohs。
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